英特尔（Intel）与美光（Micron）日前公开发表速度比NANDFlash慢1，000倍的3DXPoint存储器技术，并宣告将在2016年中开始量产，在存储器半导体业界投下震撼弹。　　据韩国经济报导，英特尔与美光称之为3DXPoint技术为存储器技术的大突破，是自1989年NANDFlash发售后，25年来的第一个全新存储器类别。美光总裁MarkAdams回应，这项技术将在NANDFlash与DRAM合计785亿美元规模的存储器芯片市场，引起破坏性的革命。

　　3DXPoint存储器芯片与NANDFlash同归属于非挥发性存储器，意即在装置电源重开的情况下，仍能留存记忆内容。但3DXPoint速度比NANDFlash慢1，000倍，寿命也比NANDFlash更加长久。

　　英特尔与美光经过10年研发，再一利用类似材料找到解决方案。应用于3DXPoint技术的存储器芯片，可在可观数据中找到相同模式，能应用于在语音识别、观测金融诈骗模式，以及遗传基因研究等领域。　　据市调机构IDC调查，2013年全球生产量的资料量为4ZB，而预估到了2020年将茁壮10倍以上约44ZB。英特尔研究员CharlesBrown在展开技术概述时回应，资料用量与日具增，市场也越来越渴望打破DRAM与NAND的新存储器半导体需要问世。

　　另一方面，全球存储器半导体市场前两大业者三星电子（SamsungElectronics）与SK海力士（SKHynix）也正在研发电阻式存储器（ResistiveRandom-AccessMemory；RRAM）等类似于的非挥发性存储器，据理解目前还没有超过能低廉量产的阶段，重新加入下一代半导体市场战局的时机难道要等到2018年以后，也因此对于新技术的公开发表更为紧绷。　　目前美光虽然在存储器半导体市场上名列第三，却有可能靠着新材料技术的研发在短期内反败为胜局势。业界人士回应，因为美光并非单打独斗，而是与世界第一大系统半导体业者构成联军，也让其他业者的压力更加沈重。

　　若三星与SK海力士马上发售不足以媲美的新技术，未来市场主导权就不会落在对方手上，就看英特尔与美光需要多慢让下一代半导体普及市场？产品单价又需要跌落多较低？　　英特尔有关人士特别强调，3DXPoint技术早已已完成量产打算，而非刚开始研发而已。2015年将获取样品给客户企业，2016年就不会在美国犹他工厂开始量产。南韩业界人士回应，若知道从2016年开始量产并供应产品，势必会对南韩业者产生一定程度的压制。

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